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工艺:用于SiC或Si的高温氧化等工艺
晶圆规格:2”4”6”SiC/Si晶圆
设备结构:水平/垂直
工艺温度:1350/1380℃
炉体温度:可达1500℃或更高
生产能力:研发型/小批量,生产型
设备特点:
优化结构设计 占地面积小
灵活多样的工艺调整
半自动/全自动的选择
极限真空 1 Pa
压力控制:如0.8 Bar至1Ba(或其他要求)
多种的装片方式
极方便的操作、维护方式
极低维护使用成本
极高的可靠性
终生的技术支持!
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