团簇型多室CVD沉积系统主要用于非晶硅太阳能电池的研究和制作_其他_镀膜设备_半导体加工设备_设备馆

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团簇型多室CVD沉积系统北京北仪

团簇型多室CVD沉积系统应用范围：主要用于非晶硅太阳能电池的研究和制作
团簇型多室CVD沉积系统技术特点：能在真空环境下连续处理多种CVD工艺过程
团簇型多室CVD沉积系统主要技术参数：

团簇型多室CVD沉积系统

Cluster Multi-chamber CVD Deposition System

技术参数Parameter
真空室尺寸 Vacuum chamber size	主真空室尺寸：Server chamber	Φ760×270mm
	工作真空室尺寸： Workstation chamber	PECVD室	250×250×300mm
		VHFCVD室	510×250×300mm
		HWCVD室	550×250×300mm
	进出片室尺寸;Loading chamber	250×286×300mm
	主真空室工位数： Server position of server chamber	6
	工作真空室数： Number of Workstation chamber	5
真空系统 Vacuum system	传输室：Server chamber	F150+D30C
	工作真空室： Workstation chamber	F100+D30C
	进出片室：Loading chamber	D30C
极限压力 Ultimate pressure	传输室：Server chamber	5×10-4Pa
	工作真空室： Workstation chamber	5×10-5Pa
	进出片室：Loading chamber	5×10-1Pa
工件尺寸 Substrate size	工件最大尺寸： Maximum diameter	100×100mm
	工件最大重量：Maximum weight	2kg
	最大同时处理数量： Maximum loading capacity	4
操作 Operation	全自动+计算机流程控制 Fully automatic computer control	PLC控制 PLC control
气路控制系统 Gas system	全套进口件气路 16路进口流量计进口变通导阀门 9路气体（N2、Ar、SiH4、NH3、NOX、TMB、B2H6、CH4、CO2） imported gas path,16-ways imported MFC,imported alterable valve 9 routes (N2、Ar、SiH4、NH3、NOX、TMB、B2H6、CH4、CO2 )

北京北仪创新真空技术有限责任公司（原北京仪器厂）创建于1954年，总部位于中央商务区（CBD）的中心位置。生产基地位于大兴工业开发区，占地面积31064平方米，建筑面积45504平方米。2003年通过ISO-2000质量体系认证。共有真空获得、真空测量、真空应用三大类产品，从低真空到超高真空30多个系列160多个品种。产品广泛地应用于航天航空、电子信息、光学产业、冶金、建筑装饰、食品、纺织、电力环保及新能源等行业。经过50多年对真空技术的探索，通过与全国多所大专院校、研究院所进行的多次合作开发，以及公司研发人员不断的创新与研发，北仪创新公司始终站在中国真空行业的前沿。
在真空测量技术、真空获得技术、光学多层全自动镀膜技术、通用磁控溅射及多靶磁控溅射技术（DC、MC、RF溅射技术）以及PECVD技术等方面处于国内领先，并有多项科研成果获得国家专利。近年来，为多个院校、研究院所开发制造多台用于研究薄膜太阳能电池的实验室设备。在拥有成熟的真空技术的基础上，2006年北仪创新公司研制成功了国内首条自行设计制造的非晶硅薄膜太阳能电池生产线，其核心是采用单室多片大面积PECVD沉积技术，用于生产大型玻璃光电模板一次完成多片数十平方米的双节非晶硅薄膜的沉积，在相对低的设备投资下取得较高的大面积模板的产量，产品的性能指标达到国际同等水平，设备销往广东、福建、浙江等地区，改变了以往我国非晶硅薄膜电池生产线依靠进口的现状。

北仪创新公司一贯秉承并将继续坚持“诚信精益”的企业精神，不断汲取客户的建议及业界的先进技术，以“顾客先导持续改进”的价值观在合作中实现共赢。