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1）该设备是一个灵活和功能强大的PECVD工艺设备
2）采用真空进样室进样可进行快速的晶片更换，采用多种工艺气体组合，并扩大了允许的工艺温度范围
3）具有最大的工艺灵活性，适用于集成电路、半导体照明、微机电系统、光电子、微电子和微流体技术
应用工艺：
1）可在衬底表面沉积SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜
2）高品质，高速率sio2沉积，应用于光子器件
3）可沉积p型、n型掺杂薄膜
4）可沉积叠层薄膜
主要特点：
1）可处理8 "晶片，也具有小批量（ 2"/4"多片）生产能力
2）采用一系列的电极进行衬底温度控制，其温度范围为室温至550° C
3）6 至12路气箱为工艺流程和工艺气体提供了选择上的灵活性，并可以放置在远端，远离主要工艺设备
4）气体通过顶电极上的喷淋头式进气口进入反应室
5）工作压强0.5-1.0torr
