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IGBT模块/IGBTModule
特性：
l 10μs短路承受时间
l 低饱和压降:VCE (sat)= 2.20V @ IC= 15A , TC=25℃
l 低开关损耗
l 100% RBSOA 测试（2倍额定电流）
l 低杂散电感
l 无铅模块，符合RoHS要求
|
IGBT,逆变器/ IGBT,Inverter 最大额定值/ Maximum Rated Values |
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|
VCES |
集电极-发射机电压 Collector-Emitter Blocking Voltage |
1200 |
V |
|
|
VGES |
门极－发射极电压 Gate-Emitter Voltage |
±20 |
V |
|
|
IC |
集电极直流电流 Continuous Collector Current |
TC= 80℃, |
15 |
A |
|
TC= 25℃ |
30 |
A |
||
|
ICM(1) |
集电极脉冲电流 Peak Collector Current Repetitive |
TJ= 150℃ |
30 |
A |
|
tSC |
短路承受时间 Short Circuit Withstand Time |
>10 |
μs |
|
|
PD |
单桥臂IGBT最大耗散功率 Maximum Power Dissipation (IGBT) |
TC= 25℃ TJmax=150℃ |
150 |
W |
