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主要应用于砷化镓、锗等材料的单晶生长
产品特点：
1）适合熔点在1250度以下的单质或化合物晶体的生长
2）核心部件采用军工级的产品，设备性能高
3）采用专用的串级温度控制器，很好的解决了温区之间的耦合问题，温度控制精度与稳定性能优于现有的工控机与仪表相结合的控制方式
4）具有断电报警、超温/欠温报警、极限超温报警等多种安全保护功能
主要技术指标：
1）炉体结构：立式
2）适用尺寸：2—6英寸（可定制）
3）加热区数：一般为6段控温（可定制）
4）控制方式：微控
5）极限使用温度：1280℃
6）温度显示精度：0.1℃
7）温度控制精度：优于±0.2℃
8）移动速度范围：1mm/hour~99.99mm/min
9）旋转速度范围：0.01r/min~99.99r/min
10）连续工作时间：＞720小时
