快速热处理设备（RTP）可用于砷化镓、硅以及其他半导体材料，离子注入后的退火、硅化物的形成、欧姆接触制备以及快速氧化、快速氮化等方面。RTP系列快速合金设备具有快速升降温、慢速升降温、和长工作时间稳定等特点。也可用于各种半导体材料的CVD工艺的热处理。
主要技术指标
l 整机尺寸：550×650×650mm（长×宽×高）
l 炉体尺寸：327×249×123mm（长×宽×高）
l 工作室采用进口GE石英，外径尺寸：290×230×24mm（长×宽×高）；表面进行磨砂处理
l 不锈钢反应室上下反射面聚焦设计，内表面采用镀金处理，减小热损失，极大提高了反射效率
l 水冷却，确保灯箱散热与快速降温
l 风扇冷却保证加热灯的冷却
l 最大温度范围150℃—1000℃，K型热电偶
l 升温速率：0.01—100℃/s可预设定
l 气体：两路美国进口浮子流量计控制，流量：0—5L/min
l 采用欧陆2604高精度温控仪控制温度
l 可编程多条温度曲线
l 双闭环控制温度，稳态温度稳定性±1℃
l 光源：1200W×21只卤钨灯
l 电源：AC380V；63A三相
l 有效加热区：180×180mm
l 石英承片架Ф160mm；配6英寸硅片承片板
l 提供备件：卤素灯5只，门密封圈2个
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