一、BG设备概要：
1. 该研磨机系统是全自动向下进给式研磨机。设备用于半导体材料诸如：硅、陶瓷、石英、碳化硅等硬质材料的高精度研磨。GNX200B兼容加工4”、5”、6”、8”晶圆，不需要更换夹具。
2. 机械手从片盒取片子传送到对中工作区，上料手拾取晶圆传送到工作台，工作台被固定在步进台上旋转120度送到粗磨工作区。
3. 在完成粗磨以后，工作台移动到第二个研磨轴做精磨，在完成精磨后，工作台旋转120度到清洁站。
4. 在清洁站用去离子水和毛刷清洗晶圆，然后下料手取晶圆送到甩干台，在甩干台再次用去离子水和压缩气体清洗。
5. 在甩干台晶圆被清洁后，机械手将晶圆放到片盒里。
6. 在线自动厚度测量，该装置是防水的微电子测量/控制单元，用微加工器来控制测量头，在研磨期间和研磨前测量晶圆厚度，操作界面上显示测量结果，在实际硅片厚度条件下产生控制信号。
7. 操作方法：全自动、半自动、手动。
二、设备特点：
1. 研削加工技术：日本机械学会授予冈本标准传送方式及向下研磨方法技术奖。
2. 机械精度的调整方法：通过主轴进行调整（独有专利），因为可进行原点定位，所以精度调整相当容易；可2处调节。
3. 标准驱动方式：齿轴+定位销进行定位，长年使用也不会发生位移。
4. 标准润滑方式：润滑油及防护罩，防止进入异物造成磨损。
5. 设备刚性：高刚性，不会因老化造成精度变化，部件由冈本自产铸金一体化生产。
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设备指标：
1. 适用晶圆尺寸厚度 晶圆尺寸： 4”、5”、6”、8”
晶圆厚度： 1000μm
2. 研磨方法 向下进给式研磨 在线测量厚度控制
3. 操作方法 全自动、半自动、手动
4. 研磨轴单元 轴的数量 2个（粗磨和精磨）
轴的转速： 0-3600 RPM
轴承： 气悬浮轴承 AB 150R（Carbon graphite）
轴承冷却方式： 气冷（水冷可选）
轴承驱动电机： 2.2KW，4P
轴承行程： 150mm
轴承快速进给： 200mm/min
轴承进给速率： 1999μm/min
轴的进给电机： 200W，交流伺服电机
可装研磨轮： 250mm dia
负载显示： 监控操作面板
研磨轮修整： 半自动
主轴角度调整： 电动主轴角度调整可作为选择项
5. 步进转位工作盘 轴承： 静压轴承（油膜）
驱动电机： 0.4KW，交流伺服电机
6. 工件主轴 轴承： 机械式轴承（可选空压轴承）
驱动电机： 0.75KW，交流伺服电机
7. 真空吸附台 数量： 3个
尺寸： 4-8寸兼容
材质： 多孔陶瓷
转速： 300rpm
修磨速度设定： 0-300rpm
工作台清洗方法： 去离子水和陶瓷环
8. 晶圆清洗方法 去离子水及毛刷清洗 甩干及空气吹干
9. 精度调整方法 通过主轴调整
10. 自动测定设备 晶圆厚度测量系统： 在线式双探针
晶圆厚度显示范围： 999um
晶圆厚度分辨率： 0.1um
11. 晶圆传输系统 片盒数量： 2个
晶圆搬送系统： 1个机器人作为上片手臂及下片手臂
寻址： 机械臂返回晶圆到位置可编程
12. 操作面板 主控制面板： 17寸，显示研削条件，操作输入；显示系统功能条件，监控空气压力，电流，水流量等
分控制面板： 厚度控制显示
13. 设备尺寸及重量 尺寸： 1350 (W) x 2370 (D)* x 1845 (H)
重量： 3900 Kg
14. 真空泵单元 型号： Kashiyama Industry LEM40U-1
功率： 1.5KW
压力： 40 Torr (5.3 x 103 Pa)
排气速度： 40 m3/hour
转速： 3500 rpm
水流量： 5 升/分
15. 工艺指标 片内厚度差（TTV）： ≤1.5μm
片间厚度差（WTW） ≤±2μm
粗糙度（Ry）： ≤0.13 μm(2000#磨轮)
注：以8寸Si wafer为例，不带保护膜情况
装箱清单
设备配置：
1. 双主轴（粗磨和精磨） 1套
2. 转位工作台 1套
3. 真空吸附台（4-8寸兼容） 3个
4. 在线接触式厚度测量单元 2套
5. 机械手 1套
6. 上片机构 1套
7. 下片机构 1套
8. 双片盒泊位 1套
9. 真空泵单元 1套
10. 触摸屏17寸，windows操作系统，硬盘备份功能，光驱及U盘接口 1套
11. 通信接口，符合SECS/GEM或SMIF通信标准 1套
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