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本设备是由加热器以及炉内部件采用立式的方法配置，是用于在石英管内的扩散、氧化、CVD、热处理的设备。组成部分：主要是由加热系统、电气控制系统、自动装片机构等组成。

常压扩散

主要参数：
规格
生成膜：氧化膜（Dry氧化）
处理数（片／批量）： Product wafer：150片
Dummy wafer： 15片　
Monitor wafer：５片　
膜厚（埃）： 1000
生成周期（批量）： 3
膜厚均匀性：片内±3%；片间±3%；批间±3%
※注：以上数据为清洗后的参数

样式
片间距： 5.2mm
温区数量： 4段温区
炉膛有效使用内径：φ335 mm
使用温度： 600-1250℃
MFC数量： 6路（最大12路）
气阀控制： 24V电磁阀最大配置24路

自动装片机构部分主要参数：
载片机：一次传送5片
可变吸盘移动范围： 5.2-13mm
载片转台（2段式）：最大8盒

外形尺寸及重量
外形尺寸： 1000mm*1940mm*3200mm（长*宽*高）
重量： 1500Kg

设备功率
加热部分50KVA，控制部分5KVA

冷却水
给水参数：水压0.35MPa，流量10L/min
排水参数：水压≤0.5MPa，
水质：PH 7-8软水，电阻率10KΩ-cm以上，水温23±3℃
※　请用精度大于７０μｍ的除尘网。

低压扩散

主要参数:

规格

生成膜： Poly，Si3N4，TEOS

处理数（片／批量）： Product wafer：150片

Dummy wafer： 15片

Monitor wafer：5片

膜厚（埃）： 1000

生成周期（批量）： 3

膜厚均匀性：片内≤±3%；片间≤±3%；批间≤±3%

※注：以上数据为清洗后参数。

样式

片间距：5.2mm

工作温度范围：450-850℃（炉内温度）

温区数量：4段温区

加热器长度：1350mm

加热器有效口径：Φ335mm

工作压力范围：30-133pa

系统极限真空度：0.8pa

MFC数量：6路（最大12路）

Interlock port：24路（最大36路）

自动装片机构部分主要参数：

载片机：一次传送5片

可变吸盘移动范围： 5.2-13mm

载片转台（2段式）：最大8盒

外形尺寸及重量

外形尺寸： 1000mm*1940mm*3200mm（长*宽*高）

重量：1500Kg

设备功率

加热部分50KVA，控制部分5KVA，泵12 KVA

冷却水

给水参数：水压0.35MPa，流量10L/min

排水参数：水压≤0.5MPa，

水质：PH 7-8软水，电阻率10KΩ-cm以上，水温23±3℃

※　请用精度大于７０μｍ的除尘网。