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可有效突破传统硅基半导体器件及其材料的物理极限，开发出更适应高压、高温、高功率、高频等条件的半导体器件。
第三代半导体碳化硅（SiC）相比于前两代半导体材料，具备大禁带宽度、大漂移速率、大热导率、大
击穿场强等优势，从而能够开发出更适应高功率、高频、高温、高电压等恶劣条件的功率半导体器件。
整体来看，碳化硅的耐高压能力是硅的 10 倍、耐高温能力是硅的 2 倍、高频能力是硅的 2 倍。
与硅基模块相比，碳化硅二极管及开关管组成的模块（全碳模块），不仅具有碳化硅材料本征特性优势，在应用
与硅基模块相比，碳化硅二极管及开关管组成的模块（全碳模块），不仅具有碳化硅材料本征特性优势，在应用
时还可以缩小模块体积 50%以上、消减电子转换损耗 80%以上，从而降低综合成本。
