简介:
用途:AlN具有热导率高、电性能好、热膨胀系数与Si片接近、无毒性的特点,是取代BeO陶瓷的理想材料。主要应用于高密度混合电路、微波功率器件、电力电子器件、光电子部件、半导体致冷等产品中做高性能基片材料和封装材料。
特点:北京瑞发致远能提供常规AlN和金属化的AlN基片。即在AlN表面镀一层金属层,其附着力在1.5-3.0之间,可焊性好。
参数:
AlN单晶基片 |
密度 |
3.20-3.26g/cm3 |
纯度 |
>99.99% |
热膨胀系数 |
4.2-4.5ppm/℃ |
介电常数 |
8.7-9.0 |
抛光 |
单面或双面 |
封装 |
100级超净袋、单片或多片晶元盒 |
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