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表面：单抛片、双抛片、研磨片、腐蚀片、切割片
晶向：<100> \ <111>\ <110>\ <211>\ <511> 以及各种偏角度的硅片
厚度： 100um 200um 300um 400um 500um 1mm 5mm等各种厚度，厚度公差+-10um,
TTV< 10um或按客户要求，粗糙度<0.2nm
导电类型： N-type、 P-type、undope (本征高阻)
单晶方式： 直拉（CZ）、区熔（FZ）、NTD（中照）
电阻率： 重掺最低可达 <0.001 ohm.cm， 低掺常规1~10 ohm.com ，
中照常规500~800ohm.cm，区熔本征：> 1000 ohm.cm， >3000 ohm.cm，
>5000 ohm.cm，>8000 ohm.cm，>10000 ohm.cm
其他规格可以完全按照客户要求定制。
