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硫化钨硒(WSSe)晶体
经过4年的长时间优化，我们为您提供不同成分范围内最高品质和完美化学计量比的WS2xSe2（1-x）材料。 大单晶无缺陷的硫化钨硒[WS2xSe2（1-X）; x = 0.1,0.3,0.5,0.7,0.9]晶体是半导体级（99.9995％或更高）层状材料，不必担心非晶相，缺陷或污染。 它们呈现完美层状结构，是剥离具有高的大单层产率的理想选择。我们提供详细的技术援助，以获得100％单层生产率。SbAsS₃晶体
我们的最新材料：Sb2xAs2（1-x）S3具有由Sb-Sb-S3原子组成的完美的1：1：3化学计量比。经过一年的34次生长试验，具备单晶尺寸大，最小的缺陷密度（10万个单胞中的1个）和完善的纯度（99.9998％）。硫化锑硫化物（SbAsS3）是带隙约1.7e的直接带隙半导体材料。与二硫化钼类似，它具有弱层间耦合作用的层状结构，可剥离成单层。单层厚度为0.8nm，单层SbAsS3在实验和理论上未被发现。晶体尺寸范围在5-8mm，显示出卓越的PL特性。
晶体生长周期为8周，显示出高结晶度。拉曼光谱显示半峰高宽FWHM小于6cm-1
请在订购时指定您的x值
空间群：P21 / c
分层：是/剥离到单层
带隙：〜1.7 eV
纯度：半导体级（6N）99.9999％
生长技术：物理气相传输 - 持续时间：2个月
样品尺寸：5-10mm
ReNbSe₂晶体
铌原子完全嵌入ReSe2主体中。合金不相分离，意味着Nb和Re原子随机分布在整个晶体中。铌的组成从0.1％到3％的不等。请在订购时指定Nb的百分比。二硫化钨钼（MoWS₂）晶体
我们已经研发出大的无缺陷单晶二硫化钨钼（MoxW（1-x）S2）晶体，它们具有x = 0.1,0.3,0.5,0.7和0.9的化学计量比。由于它们是半导体级（99.9995％的纯度和完美的化学计量比），无需担心非晶相，缺陷或污染。晶体尺寸大，可剥离成大单层，单层产率高。更多参数来电咨询！
