网站首页

|EN

当前位置: 首页 » 耗材馆 » 半导体原材料 » 晶体 » 其他类晶体 »铌酸锂 福建汉光光电有限公司
    包邮 关注:337

    铌酸锂 福建汉光光电有限公司

    应用于半导体行业:

    半导体原材料-晶体-其他类晶体

    产品品牌

    汉光光电

    库       存:

    100

    产       地:

    中国-福建省

    数       量:

    减少 增加

    价       格:

    面议
    交易保障 担保交易 网银支付

    客服电话:4001027270

    品牌:汉光光电

    型号:

    所属系列:半导体原材料-晶体-其他类晶体

    铌酸锂

    铌酸锂晶体(LiNbO3)
    铌酸锂(LiNbO3) 晶体被广泛用作1000nm以上波长的倍频和1064nm泵浦光的光参量放大,也可做准相位匹配。同时,铌酸锂晶体也被广泛应用于光电调节器及波导材料, 和用作Nd:YAG,Nd:YLF和掺Ti的蓝宝石激光Q开关。汉光公司可为上述用途提供各种规格的高质量,大尺寸的铌酸锂晶体。

    铌酸锂的结构及物理属性

    晶体结构:

    Trigonal, Space group R3C, Point group 3m

    单元参数

    a=5.148Å , c=13.863 Å

    熔点

    1253°C

    居里温度

    1140°C

    莫斯硬度

    5

    密度

    4.64 g/cm3

    光学均匀性

    ~5x10-5/cm

    透明度范围

    420nm-5200nm

    吸收系数

    ~0.1%/cm@1064nm


    铌酸锂晶体的光学特性

    透明度范围

    420-5200nm

    光学均匀性

    ~ 5 x 10-5 /cm

    1064nm的折射率

    ne = 2.146, no = 2.220 @ 1300 nm
    ne = 2.156, no = 2.232 @ 1064 nm
    ne = 2.203, no = 2.286 @ 632.8 nm

    非线性系数

    d33 = 86 x d36 (KDP)
    d31 =11.6 x d36 (KDP)
    d22 = 5.6 x d36 (KDP)

     

    电光系数

    gT33 = 32 pm/V, gS33 = 31 pm/V,
    gT31 =10 pm/V, gS31=8.6 pm/V,
    gT22 = 6.8 pm/V, gS22= 3.4 pm/V,

    半波电压,直流,

     3.03 KV
    4.02 KV

    损坏阈值

    100 MW/cm2 (10 ns, 1064nm)


    Sellmeier 方程式 (l in mm):
     

    n2o=4.9048+0.11768/(λ2-0.04750)-0.027169λ2

    n2e=4.5820+0.099169/(λ2-0.04443)-0.02195λ2
    说明:
    波前畸变: 小于λ/4 @ 633 nm
    尺寸公差: (W ± 0.1 mm) x (H ± 0.1 mm) x (L ± 0.2mm)
    通 光孔径: 中心区域> 90%
    平面度:小于 λ/8 @ 633nm
    波前畸变: 小于λ/8 @ 633nm
    角度公 差: < ± 0.5°

    咨询

    购买之前,如有问题,请向我们咨询

    提问:
     

    应用于半导体行业的相关同类产品:

    服务热线

    4001027270

    功能和特性

    价格和优惠

    微信公众号