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电光晶体简介

当我们向电光晶体施加电场时，晶体的折射率会随着电压线性的变化，这种现象被称为线性电光效应。当线偏振光通过电光晶体后，产生的相位延迟和电压和晶体的长度有关系，因此我们可以通过改变电压来实现相位延迟的改变，这就称为相位电光调制。

当我们在电光晶体两边加上两块正交的偏振器后，就可以通过改变电压来改变出射光的强度，这种就称为强度调制。

从电场所加方向来分，电光调制可以分为两种，一种为纵向调制，一种为横向调制。当电场方向和通光方向相同时称为纵向调制；当电场方向和通光方向垂直时称为横向调制。KDP属于纵向调制，BBO，KTP，LiNbO3都属于横向调制。

BBO有着非常好的电光特性，适用于从200nm到2500nm波长范围。BBO的损伤阈值高，最高可以到150W左右。而且其介电常数低，非常适合用于高平均功率，高重复频率的固体激光器中。

铌酸锂(LiNbO3)由于具有非常大的电光系数、声光系数和高损伤阈值等特性，被广泛应用于光电调制Q开关等电光设备中。铌酸锂的电光调制属于横向调制，光沿着Z轴方向传播，电极镀在X面上在X方向上产生电场。同时优光科技可以为您提供更高损伤阈值的钽酸锂晶体。

KTP相对于LiNbO3及其他晶体，有着更优越的电光和电介质特性，使其特别适合于各种的电光设备。KTP损伤阈值高，在高功率下的光学吸收小，温度性能好，机械强度高，因此KTP晶体可以取代铌酸锂晶体做电光调制，尤其适用于锁模二极管崩浦Nd:YAG、Nd:YLF和钛宝石激光器。

下面表格中列出了KTP和其他电光调制晶体材料的特性比较。

KD*P也广泛用于电光调制Q开关。

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