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6英寸 IC级半导体硅片(Prime/Test grade)
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用 途 |
同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体、半导体光刻. |
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产品尺寸 |
150mm/6" |
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表面处理 |
SSP单面抛光、DSP双面抛光、E/E双面刻蚀、SiO2/EPI/SOI等 (具体要求详谈) |
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生长方式 |
CZ直拉、FZ区熔 (具体要求详谈) |
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厚 度 |
300-1800μm (具体要求详谈) |
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掺杂类型 |
P /硼 、N/砷、磷、锑 (具体要求详谈) |
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晶 向 |
<111>/<100> (具体要求详谈) |
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电 阻 率 |
0.0001-10000(Ω·cm) (具体要求详谈) |
