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47L、43.3L、40L、8L |
DOT-3AA、GB5099 |
CGA330、CGA640 |
9.0-13.0MPa |
22kg、20kg、3.4kg |
23016 |
2451 |
Ⅱ |
6 |
应用 三氟化氮是微电子工业中一种优良的等离子蚀刻气体，对硅和氮化硅蚀刻，采用三氟化氮比四氟化碳和四氟化碳与氧气的混合气体有更高的蚀刻速率和选择性，而且对表面无污染，尤其是在厚度小于1.5um的集成电路材料的蚀刻中，三氟化氮具有非常优异的蚀刻速率和选择性，在被蚀刻物表面不留任何残留物，同时也是非常良好的清洗剂。
