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4001027270
MORSENSEMI 3英寸InP单晶片主要参数指标
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掺杂
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导电类型
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载流子浓度（cm-3）
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迁移率（cm2V-1s-1）
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电阻（Ω.cm）
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位错（cm-2）
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非掺
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N-型
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≤3×1016
|
（3.5-4）×103
|
≤1000
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||||
|
掺S
|
N-型
|
（0.8-6）×1018
|
（1.5-3.5）×103
|
≤5000/≤500
|
||||
|
掺Zn
|
P-型
|
（0.6-6）×1018
|
50-70
|
≤5000
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||||
|
掺Fe
|
SI
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＞2000
|
＞1×107
|
≤5000
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加工技术参数
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规格
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2英寸
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3英寸
|
4英寸
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直径（mm）
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50.8±0.5
|
76.2±0.5
|
100.0±0.5
|
|||||
|
厚度（μm）
|
350±25
|
600±25
|
625±25
|
|||||
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晶向
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（100）/（111）±0.5°
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主定位边长（mm）
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16±2
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22±2
|
32.5±2
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|
副定位边长（mm）
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8±1
|
11±1
|
18±1
|
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平整度TTV(μm)
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＜10
|
＜10
|
＜15
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|
弯曲度Bow（μm）
|
＜10
|
＜10
|
＜15
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|
翘曲度Warp（μm）
|
＜15
|
＜15
|
＜15
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其他产品参数可按照客户要求定制
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