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化学符号：SiO2
沸 点：2230℃
纯 度：4N
规 格：1-4mm,颗粒，靶材
分 子 量：60.08外 观：白色
熔 点：1700℃
密 度：2.2-2.7g/cm3
在10-4Torr真空下蒸发温度为：1025℃
透 明 区/nm：200-8000
相对介电常数：3-4
击穿电压/V？cm-1：106
厚 度μm：0.03-0.3
沉积技术：反应溅射
折 射 率(波长/nm)：1.46(500)
1.445(1600)
线膨胀系数/℃-1:5.5×10-7
蒸发方式：电子束
性 能： 可用钽舟加热蒸发，也可用三氧化二铝坩埚加热蒸发，但由电阻加热蒸发会产生分解，由电子束加热蒸发效果很好；不溶于水和酸，但溶于氢氟酸；其微粒能与熔融碱起作用；
应 用： 二氧化硅用途广泛，主要用于冷光膜、防反膜、多层膜、滤光片、绝缘膜、眼镜膜、紫外膜等。
