新乡市神舟晶体科技发展有限公司

新乡市神舟晶体科技发展有限公司（以下简称‘神舟科技’）始建于1970年，是在2004年全资购入国营542厂（中原半导体研究所），于2005年1月5日组建成立。随着公司的成功改制，企业揭开了高速发展的新篇章。
     2006年4月，国家相关三部委联合到公司现场办公，高度评价了公司改制以来的巨大变化，肯定了科研综合能力的提升，三部委现场办公后对神舟科技未来的发展更加关注，公司被列为“十一五”、“十二五”国家电子信息材料重点骨干研制单位。
     2013年，神舟科技搬迁至河南省新乡市经济技术开发区，在原有的研发基础上迅速提升，拥有员工126人，其中科研技术人员42人，教授级高工12人，聘请2名中科院士为技术研发顾问。涵盖了材料物理、半导体材料、微电子、化学等专业，形成了基础研究和产业化生产良性互动格局。公司下辖一个北京全资子公司（北京华进创威电子有限公司）、二个省级重点实验室、和八个研发中心（其中五个设在北京、一个设在新乡、一个设在上海、一个设在西安）。
     神舟科技拥有多种先进的生产设备和综合完善的化合物半导体材料专业生产体系，如自有知识产权2-6英寸砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）单晶炉、美国STC内圆切片机以及伯乐公司霍尔测试仪等先进设备。公司产品以生产2-6英寸砷化镓（GaAs）、2-4英寸碳化硅（SiC）、高纯碳化硅（SiC）粉料、磷化铟（InP）、锑化镓（GaSb）、氮化铝（AlN）单晶材料和SiC--SiC同质外延片、SiC--GaN异质外延片及相关器件。神舟科技已形成了从二、三代单晶材料到外延、器件为一体的专业化公司。
     神舟科技先后为国家航空、航天等重点工程提供了批量的产品，先后得到国家相关部委多次表彰，是国家定点生产砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）、磷化铟（InP）、锑化镓（GaSb）、氮化铝（AlN）等单晶材料及外延片、器件单位，为国家大力扶持的发展项目，产品供不应求。公司秉承为客户制造高品质的产品，引领行业尖端技术进步的理念，成为国内第一家贯穿半导体产业链上、下游的规模化生产的高新技术企业。