东莞市中镓半导体科技有限公司

   2009年成立北大中镓半导体研究中心；同年被广东省人民政府批准的首批创新科研团队；成为广东省现代产业500强项目；被广东省科学技术厅评为“国际科技合作基地”。

   2011年被全国高科技质量监督广东委员会评为“广东省科技创新  质量管理先进单位”；同年被广东省科学技术厅评为“广东省民营科技企业”、被广东省经济和信息化委员会评为“广东省战略性新兴产业骨干企业”。

   同时2015年10月，公司被科学技术部认定为“国家国际科技合作基地”。入选《广东经济》理事学会理事单位、东莞市电子元件协会常务副会长单位、东莞电子信息产业 数码产业协会常务副会长单位、东莞市半导体行业副会长单位、CSA国家半导体照明工程研发及产业联盟成员单位等。
四、主营业务与专利技术

    本企业创造性地采用MOCVD技术、激光剥离技术、HVPE技术相结合的方法，研发、生产产品包括：（1）GaN半导体衬底材料，包括GaN衬底，GaN/ Al2O3复合衬底，图形化蓝宝石衬底（PSS）；（2）生产上述产品的设备，如激光剥离设备、HVPE设备等。对相应技术拥有自主知识产权，截止2016年3月，中镓公司共拥有专利97项，其中已授权专利46项（包括发明专利27项，实用新型17项，外观设计1项），已受理专利52项。申请PCT国际发明专利5项，其中2项已获得美国、欧洲、日本、韩国等国家和地区的授权，相关专利技术处于国际先进水平。使本企业在国内国际竞争中处于一个优势位置。
五、公司发展与规划

   目前，公司已建成国内首家专业的氮化镓（GaN）衬底材料生产线，制备出厚度达1100微米的自支撑GaN衬底，并能够稳定生产。

   相关产品技术达到国际先进乃至国际领先水平，形成世界一流的国内最大型的衬底材料及半导体设备的生产基地。企业拟以衬底核心技术为基础，全面进入氮化物半导体技术的研发和生产，实现完整的产业链的垂直整合结构发展，打造国际一流的大型半导体材料科研生产基地，逐步推进形成达百亿产值的半导体产业集群。

六、公司愿景